第三代半導(dǎo)體氮化鎵
第三代半導(dǎo)體材料：以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為四大代表，是5G時(shí)代的主要材料。起源時(shí)間：M國(guó)早在1993年就已經(jīng)研制出第一支氮化鎵的材料和器件。而我國(guó)最早的研究隊(duì)伍——中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，在1995年也起步了該方面的研究。重點(diǎn)：市場(chǎng)上從半年前炒氮化鎵的充電器時(shí)，
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