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韓國Mask Aligner光刻機

簡要描述：光刻是一種將圖案從玻璃光掩模轉移到半導體或玻璃基板上的光學技術。

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L-100

光刻是一種將圖案從玻璃光掩模轉移到半導體或玻璃基板上的光學技術。L-100專為4英寸晶圓而設計，具有硬接觸、軟接觸和真空接觸三種接觸方式。對準器有一個365nm的UV LED光源。365nm處的光功率為20mW/cm 。可用于商業(yè)半導體制造或大學實驗室晶圓制造以及MEMS領域。

技術參數

類型	PLC手動控制系統	波長	365 nm
掩膜版尺寸	5英寸	紫外光強度	20 ?
基片尺寸	4英寸晶圓	紫外線光束均勻度	≤3 %
分辨率	1 ?	接觸模式	真空/硬/軟
對準精度	1 ?	顯微鏡	雙CCD變焦顯微鏡
		選配項	Anti-vibration table, IR BSA, CCD BSA

M-100

光刻是一種將圖案從玻璃光掩模轉移到半導體或玻璃基板上的光學技術。M-100專為4英寸晶圓而設計，具有硬接觸、軟接觸和真空接觸三種接觸方式。對準器有一個350W的紫外線光源。365nm處的光功率為25mW/cm ?？捎糜谏虡I(yè)半導體制造或大學實驗室晶圓制造以及MEMS領域。

技術參數

類型	PLC手動控制系統	波長	350 ~ 450 nm
掩膜版尺寸	最大5*5英寸	紫外光強度	15 ~ 25/ ?
基片尺寸	4英寸晶圓	紫外線光束均勻度	3 ~ 5 %
分辨率	1 ?	接觸模式	真空/硬/軟/接近
對準精度	1 ?	顯微鏡	雙CCD變焦顯微鏡
紫外燈和電源	350W	選配項	Anti-vibration table, IR BSA, CCD BSA

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