Plasmionique支持 CVD / ALD / PECVD / RIE

1. 多樣化工藝支持

支持等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、化學(xué)氣相沉積（CVD）和原子層沉積（ALD）等多種表面處理工藝。

使用射頻（RF）或微波等離子體，適用于低壓環(huán)境。

2. 緊湊型設(shè)計(jì)

系統(tǒng)整體尺寸約寬32英寸、深22英寸、高24英寸，適合桌面操作。

沉積腔室直徑為8英寸，高度6-10英寸，可處理最大4英寸直徑的基板。

3. 靈活的真空系統(tǒng)

配備干式/濕式機(jī)械泵（6-9 cfm），可選渦輪分子泵（80-90 L/s，用于ICP源），適應(yīng)不同真空需求。

4. 高自動(dòng)化控制

全計(jì)算機(jī)控制，內(nèi)置PLASMICON控制軟件，支持工藝配方自動(dòng)化。

可編程RF發(fā)生器（120W-300W）搭配自動(dòng)阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)，確保穩(wěn)定等離子體生成。

5. 基板處理能力

基板支架可選水冷或加熱至300°C，適應(yīng)不同材料需求。

支持雙工藝氣體線(xiàn)路和自動(dòng)排氣系統(tǒng)，提升工藝靈活性。

6. 實(shí)時(shí)監(jiān)控與分析

集成光學(xué)光譜選項(xiàng)，用于工藝過(guò)程監(jiān)控與調(diào)控。

10英寸觸摸屏界面，提供實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)監(jiān)測(cè)、采集及用戶(hù)友好交互。

7. 擴(kuò)展性與安全

可選水冷系統(tǒng)和渦輪泵站，增強(qiáng)系統(tǒng)性能。

數(shù)據(jù)采集與存儲(chǔ)功能，確保工藝可追溯性。

8. 應(yīng)用領(lǐng)域

適用于半導(dǎo)體、納米材料、光學(xué)涂層等領(lǐng)域的研發(fā)與小規(guī)模生產(chǎn)。

這些特點(diǎn)使Plasmionique系統(tǒng)成為多功能、高精度且用戶(hù)友好的表面處理解決方案，兼顧科研與工業(yè)需求。

Plasmionique支持 CVD / ALD / PECVD / RIE